筛选出 18 条数据
-
筛选出 18 条数据
清除 -
品牌
-
分类
-
价格
-
属性
- 二次电子探测器（ETD）背散射电子探测器、*低真空二次电子探测器、*能谱仪EDS等
- X:120mmY:115mmZ:50mmR:360°T:-10°～+90°
- 4nm@30kV（BSE）
- 0.2kV～30kV
- 1-300,000x（底片倍率）1-1000,000x（屏幕倍）
- 3nm@30kV（SE）
- 钨灯丝
- 镜筒内高角度电子探测器、背散射电子探测器、侧向二次电子探测器
- 五轴全自动样品台，X=110mm，Y=110mm，Z=50mmT:-10°~+70°，R:360°
- 直径≥260mm，高≥53mm
- 0.8nm@15kV，SE1.2nm@1kV，SE
- 20V～30kV
- 1~2,500,000x
- 0.8nm@15kV
- 热场发射
- 落地式/传统大型
- 10~1,500,000x
- 10~120kV
- 0.14nm
- 场发射
- 1.2GSa/s
- 512MSa
- 16位
- 4
- 1
- 330MHz
- 函数/任意波发生器
- 射频及高频
- ＜15fT/√Hz
- -100nT~+100nT
- 超导线圈型
- 脉冲磁场测量设备
- 常温～550℃
- 授权经销商
- -196℃～常温
- 5*10^-6Pa（扩展分子泵）
- 真空～200Bar
- -196oC～常温
- 生产商
- 常温
- 静态容量法
- 1*10-9～0.998
- 2/3站，可扩展4/6/9站
- 静态法（静态体积法）
- 比表面分析仪
- 脉冲
- 国产
- 连续波
- 脉冲式
更多 -
规格
-
￥登录可见
-
￥登录可见
-
￥登录可见
-
￥登录可见
-
￥登录可见
-
￥登录可见
-
￥登录可见
-
￥登录可见
-
￥登录可见
-
￥登录可见
-
￥登录可见
-
￥登录可见
-
￥登录可见
-
￥登录可见
-
￥登录可见
-
￥登录可见
-
￥登录可见
-
￥登录可见
- 1
- 每页条跳转到页
